外延片的生长工艺有很多流程,需要很多高菁尖设备,生长出来的外延片直接决定了 LED 的波长、亮度、正向电压等主要的光电参数。外延片的生长基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC 碳化硅、Si 硅)上,气态物质 In Ga Al P(铟 家铝 磷) 有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。
目前主要的外延片衬底材料有蓝宝石、碳化硅和硅。不同的衬底材料有不同的光电特性,价格差别也很大。外延片制造过程如下:
先把晶棒切片,切片需要注意晶面的结晶方向、晶片的厚度、晶面的斜度和曲度;切片后为了防止晶片边缘碎裂、防止热应力集中以及增加外延层的平坦度 需要把晶边磨圆,然后还需要蚀刻(shí kè),蚀刻的目的在于把前面机械加工所造成的损伤给去掉,蚀刻需要用到晶片研磨机;下一步需要将晶片置于炉管中施以惰性气体加热30分钟至一小时,再在空气中快速冷却,可以将所有氧杂质去除,这样晶片的电性(阻值)仅由载流子杂质来控制,从而稳定电阻,这一步需要使用到高温快速热处理设备;然后使用抛光机再给晶片抛光;再然后就是使用晶片清洗机来清洗晶片,用RCA溶液(双i氧水+氨水或又氧水+盐酸),将前面工序所形成的污染清除,蕞后在无尘环境中严格检查晶片表面的洁净度、平坦度确保符合规格要求,蕞后包装到特殊的容器中保存。
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全彩LED显示屏的显示效果直接关联着用户、受众,要想获得的使用体验,需要控制和提高LED显示屏的品质。那么,如何控制和提高LED全彩显示屏品质?反映全彩LED显示屏LED品质的重要指标是什么?
LED器件作为全彩LED显示屏的关键部件,原因有三:
首先,LED是全彩屏整机中使用数量的关键器件,每平方米会使用几千至几万只LED;
其次,LED是决定整屏光学显示性能的主体,直接影响观众对显示屏的评价;
再次,LED在显示屏整体成本中所占比例大,从30%~70%不等。LED的选择决定整个显示屏50%以上的品质。如果未能选择好LED,显示屏的其他部件再好也无法弥补显示屏品质的缺陷。
LED屏和主板之间的数据传输一般采用的都是串行式数据传输方式(SPI),再通过信号包复用技术同步传送显示数据和控制数据,但在刷新率和解析度提高的情况下,很容易造成资料传输的瓶颈,导致系统的不稳定。此外,在LED屏屏幕面积较大时,控制线往往也非常长,容易受到电磁干扰,影响传输信号的质量。
虽然近年来有些厂商引入了新的传输介质,但如何才能为用户提供真正性能,且性价比较高的产品方案是困扰产业的一个重点问题。为此,部分厂商提出,LED显示屏的数据传输方式亟待需要从层的技术层面入手,寻找到一种创新的解决方案。
值得注意的是,LED屏技术革新已牵涉到产业链的各个环节,包括驱动IC制作工艺的提升、控制系统的硬件化、控制软件的智能化开发等等,这些技术创新需要IC设计厂商、控制系统开发厂商、面板厂商,甚于包括终端用户等更为紧密地结合在一起,共同打破行业应用的“僵局”。特别是在控制系统的开发上,如何与IC设计公司更好地相互协作,提高LED屏的系统性能以及控制软件的智能化水平是当务之急。
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