微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘等工序。
通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越短，加工分辨率越佳。静态旋转法：首先把光刻胶通过滴胶头堆积在衬底的中心，然后低速旋转使得光刻胶铺开，再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。在高速旋转的过程中，光刻胶中的溶剂会挥发一部分。静态涂胶法中的光刻胶堆积量非常关键，量少了会导致光刻胶不能充分覆盖硅片，量大了会导致光刻胶在硅片边缘堆积甚至流到硅片的背面，影响工艺质量。
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掩膜版的制造工艺是集成电路的质量的集成度的重要工序，光刻掩膜版是一块石英板，它可以确定一张硅片中的工艺层所需的完整管芯阵列。掩膜版制作：首先需要在掩膜版上形成图形，一般形成图形的方法是使用电子光束，整体下来环节比较复杂。
光刻胶是一种有光敏化学作用的高分子聚合物材料，是电子束曝照图案、转移紫外曝光的媒介。它覆盖在基材的表面，每当紫外光、电子束照射时，光刻胶的特性就会发生改变。在显影液显影后，未曝光的正性光刻胶或者曝光的负性光刻胶这两都留在衬底表面，之后将设计的微纳结构顺利转移光刻胶上；这之后的刻蚀、沉积等工艺，会进一步将此图案转移至光刻胶下面的衬底上。
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光刻板和光刻掩膜版什么区别
光刻板和光刻掩膜版没有区别。
光刻掩膜版是光刻工艺中重要的材料之一，业内又称光罩版，掩膜版，光刻版。在传播中又形成了光刻板这个名称，实际没有区别。
光刻掩膜版的寿命有一个很大的变化范围，通常介于1000-5000个曝光晶圆计数。
在掩膜版的使用过程中，雾状缺陷是影响掩膜版寿命的主要因素。随着光刻波长的变化，受雾状缺陷影响的光刻版比例可高达20%。因此，控制掩膜版使用和保存环境对保护掩膜版寿命有很重要的作用。
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