硅表面疏水性处理微观机理与亲水性处理机理相似，硅表面成为疏性的基本条件为B=A=r（SL）- r（SG）＞0
硅片表面必须由高能转化为低能表面。从上式可以看出:完成上述转化的条件为或者使 r（SG）下降,或者r（SL）上升。方法还是改变其表面结构，使 r（SG）减小。硅片经过特殊清洗液洗时，表面形成的自然氧化膜腐蚀掉，Si几乎不被腐蚀。硅片外层的Si儿乎以H键为终端结构，表面呈疏水性。
PDMS以其的优势在微流控芯片中得到应用:材料廉价、易得;材料可加工性、成型性好，可以通过快速模塑法制作不同通道形状的微流控芯片;可以透过240nm以上波段的紫外、可见光，适合各种光学检测;不透水，不溶于水和常见电泳缓冲液;可以透过空气，对细胞无毒，适合生物样品检测;表面能低，容易和其他材料进行可逆或者不可逆键合;有良好的绝缘性，良好的散热性能，适于电泳分离;材料表面易于进行改性，适合不同要求的生物样品分析检测;容易质谱等其他分析检测技术联用。
疏水是指各种蒸汽营道和用汽设备表接触角(A大于九十度的蒸汽凝结而的水，而由于水是极性分子，而且能够形成屋，而经则多是范停华相互作用，偶极相互作用和氢键的销星比范德华力大的多，这使得水与经接触时倾向于自己与自己复装，而如果的与水接的更多会威少水和水之间的接貌，带来能星的上升、终基和水类似，与水接的时也能成复键以及慢极相回作用，能量和水之间接触差别不大。而疏水作用是决定生物分子的结构和性质的重要因素，特别是在蛋白质的折叠，分子与受体的相互作用中扮演着重要的角色。